| Описание | Принцип действия тензорезисторов ВВA, BBQ, BBF, BBAB (далее - тензорезисторов) основан на тензорезистивном эффекте, т.е. на свойстве изменения электросопротивления проводника в результате его деформации.
Тензорезисторы состоят из чувствительного элемента, подложки и выводов.
Модификации, исполнения и типоразмеры тензорезисторов различают по материалу подложки, конфигурации чувствительной решетки, нормированным значениям метрологических характеристик и габаритным размерам.
В зависимости от материала подложки выпускаются следующие модификации тензорезисторов:
- F – на фенольной пленочной подложке (фенолоформальдегидная смола);
- Q – на бумажной подложке;
- A – на полиамидной пленочной подложке (полиамидный лак);
- АВ – на полиамидной пленочной подложке, армированной стекловолокном.
В зависимости от формы чувствительного элемента и количества чувствительных элементов на одной подложке тензорезисторы предназначены:
- для измерения одноосевой деформации – одиночные и двухкомпонентные;
- для определения величины и направления деформаций при сложнонапряженном состоянии объектов: двух-, трех-, четырех- и многокомпонентные;
- для измерения деформации мембран – мембранные;
- для исследования распределения деформации в зоне концентрации напряжения – тензорезисторные цепочки.
Пример формирования условного обозначения тензорезистора:
| ВВ | I | II | III | IV | V | VI | VII | VIII | IX | | F | 1000- | 2 | GB-B | L6 | 80 | (23) | N6 | X |
I – тип материала подложки:
F – на фенольной пленочной подложке (фенолоформальдегидная смола);
Q – на бумажной подложке;
A – на полиамидной пленочной подложке (полиамидный лак);
AВ – на полиамидной пленочной подложке, армированной стекловолокном.
II – Номинальное сопротивление, Ом.
III – Номинальная база (длина чувствительной решетки), мм.
IV – Код конфигурации чувствительной решетки.
V – Расстояние между центрами решеток, мм: L6=6,0; L7=7,0; L68=6,8; L0=10,5.
VI – Предельная рабочая температура (°С), температура ниже 80 °С не маркируется.
VII – Код термокомпенсации или код компенсации модуля упругости
2 – композитные материалы;
9 – сплав титана;
11 – сплав стали, мартенситная нержавеющая сталь и электролитическое напыление нержавеющей стали;
16 – аустенитная нержавеющая сталь и материал на основе меди;
23 – сплав алюминия;
27 – сплав магния;
65 – пластики.
VIII – Код компенсации ползучести (Т5, Т3, Т1, Т8, Т6, Т4, Т2, ТО, N2, N4, N6, N8, N0, N1, N3, N5, N7, N9).
IX – Исполнение контактов тензорезистора:
С – открытые контактные площадки;
D – луженые контактные площадки, влагозащита покровной пленкой;
F – полностью открытые, без выводов, без влагозащиты;
H – полностью открытые, без выводов, в стальном корпусе;
U – полностью открытые с выводными проводниками;
M – без выводов с клеевым покрытием;
S – открытые контактные площадки, контурная тара;
Х – стандартные выводные проводники, влагозащита;
ВХ30 – плоские выводные проводники прямоугольного сечения, длинной 30 мм, влагозащита;
Х** - выводные проводники круглого сечения, влагозащита;
Q** - выводные проводники в лаковой изоляции, влагозащита;
G** - выводные проводники в высокотемпературной изоляции, влагоизоляция;
Р** - выводные проводники в ПВХ изоляции, влагозащита;
где ** - длинна выводных проводников.
Общий вид тензорезисторов представлен на рисунке 1.
Рисунок 1 - Общий вид тензорезисторов
Пломбирование тензорезисторов не предусмотрено.
|
| Метрологические и технические характеристики | Таблица 1 – Метрологические характеристики тензорезисторов
| Наименование характеристики | Значение | | Диапазон измерений деформации, млн-1 | от – 3000 до +3000 | | Предельное относительное отклонение электрического сопротивления в партии от номинального, % | ± 1,0 | | Предельное относительное отклонение электрического сопротивления в группе от среднего, % | ± 0,10; ± 0,20; ± 0,50 | ± 0,15 | | Среднее значение чувствительности при нормальных условиях | от 1,86 до 2,20 | от 2,0 до 2,2 | от 1,86 до 1,98 | | Среднее квадратическое отклонение чувствительности в партии, %, не более | 1,0 | | Среднее значение часовой ползучести, при нормальных условиях, %, не более | 0,3 | 1,5 | | Среднее квадратическое отклонение часовой ползучести, при нормальных условиях, % , не более | 0,2 | 0,1 | 0,8 | | Среднее значение часовой ползучести, при максимальной температуре, %, не более | 2,0 | 1,5 | 5,0 | | Среднее квадратическое отклонение часовой ползучести, при максимальной температуре, %, не более | 1,0 | 2,0 | | Среднее значение температурного коэффициента чувствительности при максимальной (минимальной) температуре, не более, %·°С-1 | 0,1 | | Среднее квадратическое отклонение коэффициента чувствительности при максимальной (минимальной) температуре, не более, %·°С-1 | 0,1 |
Таблица 2 – Конфигурации чувствительной решетки, габаритные размеры (без толщины), номинальная база, номинальное электрическое сопротивление
| Внешний вид | Код конфигурации чувствительной решетки | Габаритные размеры подложки, мм, не более | Номинальная база, мм | Номинальное электрическое сопротивление, Ом | |
| AA
АА-А
АА-В
АА-D | от 36 до 78 | от 2,2 до 2,3 | 30, 50, 70 | 10 | | АВ | 8,2 | 5,1 | 3 | 60 | | FB | от 5,6 до 8,0 | от 5,2 до 6,0 | 2, 3, 4 | 120 | | HA | 9,0 | 5,6 | 2 | 175 |
Продолжение таблицы 2
| Внешний вид | Код конфигурации чувствительной решетки | Габаритные размеры подложки, мм, не более | Номинальная база, мм | Номинальное электрическое сопротивление, Ом | | HA-D | от 5,3 до 8,3 | от 4,5 до 8,3 | 1, 2, 4 | 120 | | HA-E | 7,0 | 5,8 | 2 | 120 | | BB | от 4,0 до 11,0 | от 3,0 до 8,0 | от 0,8 до 4 | 120 | | ВВ-А | от 6,6 до 10,3 | от 5,6 до 7,5 | 2, 3, 4 | 120 | | ВВ-В | от 14,3 до 34,0 | от 7,3 до 14,6 | 3, 5, 10 | 200 | | СА | от 7,6 до 15,0 | от 7,6 до 15,0 | 1,2 3, 4, 6 | 120 | | BA
BA-А
BA-К | от 6,0 до 15,0 | от 6,0 до 15,0 | 1, 2, 3, 4, 5, 6 | 120 | | BC | от 5,7 до 7,8 | от 5,7 до 7,8 | 1, 2, 3, 4 | 120 | | BC-A | 4,0, 11,0 | 4,0, 11,0 | 1, 5, | 120 | | CB | от 5,7 до 9,5 | от 5,7 до 9,5 | 1, 2, 3, 4 | 120 |
Продолжение таблицы 2
| Внешний вид | Код конфигурации чувствительной решетки | Габаритные размеры подложки, мм, не более | Номинальная база, мм | Номинальное электрическое сопротивление, Ом | | CB-A | 4,0 | 4,0 | 1 | 120 | | CC | от 6,7 до 11,5 | от 6,7 до 11,5 | 1, 2, 3, 4 | 120 | | CD | 12,0, 10,0 | 12,0, 10,0 | 5 | 100 | | CD-B | 12,0 | 12,0 | 5 | 100 | | CD-C | 13,5, 20,0 | 13,5, 20,0 | 3, 5 | 100 | | CD-D | 20,0 | 20,0 | 3 | | CD-K | 8,9, 11,6 | 8,9, 11,6 | 2, 3 | 120 | | CE | от 11,0 до 17,2 | от 11,0 до 17,2 | 2, 3, 6 | 120 | | DB | 14,7 | 9,1 | 3 | 350 | | EA | 11,0 | 8,0, 8,5 | 1 | 120 | | EB | 7,4 | 8,5 | 2 | 350 | | EB-K | 15,3 | 6,2 | 2 | 100 |
Продолжение таблицы 2
| Внешний вид | Код конфигурации чувствительной решетки | Габаритные размеры подложки, мм, не более | Номинальная база, мм | Номинальное электрическое сопротивление, Ом | | GD | 30,0, 55,0 | 9,0, 10,0 | 1, 3 | 100 | | FD | 11,0 | 8,0 | 4 | 120 | | KA | Ø 10,0 | 10 | | HA-T | 9,8 | 8,4 | 2,3 | 700 | | GD | 8,0 | 7,0 | 1 | 100 | | | | Примечания:
Фактическое значение электрического сопротивления указывают на упаковке группы тензорезисторов (по заявке заказчика тензорезисторы могут иметь параметры базы и электрического сопротивления, отличные от указанных в таблице). |
Таблица 3 – Основные технические характеристики
| Наименование характеристики | Значение | | Предельная деформация, млн-1, не менее | 20000 | | Условия эксплуатации:
- температура окружающей среды, ºС
- относительная влажность, %, не более | от -70 до +150
80 | от -30 до +80
80 | от -70 до +250
80 | | Интервал термокомпенсации, ºС | от -70 до +150 | от -30 до +80 | от -70 до +250 | | Максимальный рабочий ток питания, мА:
- для тензорезисторов с номинальной базой от 1 до 3 мм включ. и сопротивлением более 700 Ом включительно
- для тензорезисторов с номинальной базой св. 3 мм до 70 мм включ. и сопротивлением менее 700 Ом | 20
30 | | Электрическое сопротивление изоляции, МОм, не менее | 1000 | | Толщина тензорезистора с учетом покровной пленки, но без учета мест подпайки выводов мкм, не более | 100 | | Масса тензорезистора, г, не более:
тензорезисторов с одним чувствительным элементом
тензорезисторов с числом чувствительных элементов более одного | 0,1
0,2 | | Число циклов знакопеременной деформации с амплитудой ±1000 млн-1 при вероятности 0,95, не менее | 107 |
|
