Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe

Описание

Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe — техническое средство с номером в госреестре 80056-20 и сроком свидетельства (заводским номером) 9950518. Имеет обозначение типа СИ: Helios G4 PFIB Uxe.
Произведен предприятием: Фирма Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США.

Требуется ли периодическая поверка прибора?

Наличие периодической поверки: Да. Периодичность проведения поверки установлена изготовителем средства измерения и составляет: 1 год
Узнать о ее сроках можно также в техническом паспорте, который прилагается к данному прибору.

Допускается ли поверка партии?

Допущение поверки партии приборов: Нет.

Методика поверки:

Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe.

С методикой поверки прибора вы можете ознакомиться по ссылке: Скачать
Документ содержит последовательность действий, реализация которых позволит подтвердить соответствие прибора метрологическим требованиям, принятым при утверждении типа средства измерений.

Описание типа:

Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe.

С более детальным описанием прибора можно ознакомиться по ссылке: Описание прибора: Скачать. Документ содержит технические, метрологические характеристики, данные о погрешности измерения и другую полезную информацию.

Изображение
Добавить к заказу
Продать СИ
Номер в госреестре
80056-20
НаименованиеМикроскоп электронно-ионный сканирующий
Обозначение типаHelios G4 PFIB Uxe
ПроизводительФирма Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США
Описание типаСкачать
Методика поверкиСкачать
Межповерочный интервал (МПИ)1 год
Допускается поверка партииНет
Наличие периодической поверкиДа
Сведения о типеЗаводской номер
Срок свидетельства или заводской номер9950518
НазначениеМикроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe (далее – микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.
ОписаниеПринцип действия микроскопа основан на совместном использовании сфокусированного электронного пучка для визуализации и измерения характерных размеров элементов поверхностного рельефа и сфокусированного пучка ионов Xe для локального контролируемого травления поверхности твердотельных объектов по заданной программе. Формирование изображения в микроскопе происходит за счет модуляции яркости соответствующей точки монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных или обратноотраженных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа. Микроскоп может работать в следующих режимах: - вторичной электронной эмиссии; -детектирования обратно отраженных электронов, - сканирующей просвечивающей электронной микроскопии, в том числе темнопольном и светлопольном режимах; -дифракции обратно-рассеянных электронов, -картирования элементного состава, в том числе объемного с использованием послойного травления образца ионами Xe. Для повышения разрешения в микроскопе предусмотрена магнитная иммерсионная линза, используемая с детектором электронов установленным внутри электронной колонны, за полюсным наконечником. Так же, есть возможность подавать дополнительный потенциал на столик в пределах от -4 кВ до 50 В. Конструктивно микроскоп выполнен в напольном варианте и состоит из основного блока, стойки электроники, рабочего стола с управляющим компьютером и отдельно стоящих форвакуумного насоса, чиллера и компрессора. Основной блок включает электронно-оптическую систему (колонну) с полевым катодом типа Шоттки с монохроматором, ионную колонну с плазменным источником ионов Xe, камеру образцов с механизмом их перемещения на основе предметного столика с пьезоприводом, детекторы вторичных, отраженных и прошедших электронов, вакуумную систему на основе безмасляных турбомолекулярного и магниторазрядного насосов, блок электроники, энергодисперсионный спектрометр EDAX Octane Elite Super, систему анализа дифракции отраженных электронов на основе EBSD системы EDAX Hikari Plus, манипулятор EasyLift Nanomanipulator, встроенный в камеру образцов, систему впрыска газов для осаждения Pt, W и C. Вакуумная камера оборудована системой плазменной очистки образцов и содержимого камеры от углеводородных загрязнений. Пломбирование микроскопа не предусмотрено. Общий вид микроскопа и место нанесения знака поверки приведены на рисунке 1. Рисунок 1 - Общий вид микроскопа электронно-ионного сканирующего Helios G4 PFIB UXe
Программное обеспечение Управление микроскопом и обработка результатов измерений осуществляется с помощью ПЭВМ с использованием специализированного программного обеспечения (ПО) «XT UI». ПО «XT UI» позволяет проводить измерения линейных размеров элементов рельефа по осям X и Y. ПО «XT UI» не может быть использовано отдельно от микроскопа. Идентификационные данные программного обеспечения указаны в таблице 1. Таблица 1
Идентификационное наименование ПОXT UI
Номер версии (идентификационный номер) ПО14.5.0.3707
Цифровой идентификатор ПО (контрольная сумма исполняемого кода)-
Алгоритм вычисления цифрового идентификатора ПО-
Уровень защиты ПО соответствует типу «средний» согласно Р 50.2.077-2014.
Метрологические и технические характеристикиТаблица 2 - Метрологические характеристики
Наименование характеристикиЗначение
Диапазон измерений линейных размеров, мкмот 0,005 до 1000
Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений линейных размеров, нм (L– линейный размер, нм)((1+0,04∙L)
Пространственное разрешение для электронной колонны в режиме вторичной эмиссии при ускоряющем напряжении 15 кВ, нм, не более 0,6
Энергетическое разрешение энергодисперсионного спектрометра на линии Kα марганца,эВ, не более125
Таблица 3 - Основные технические характеристики
Наименование характеристикиЗначение
Диапазон регулирования увеличения, кратот 30 до 1000000
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения для электронной пушки, кэВот 0,35 до 30
Разброс энергий электронов пучка от установленного значения после монохроматора, эВ, не более0,2
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения для ионной пушки, кэВот 0,5 до 30
Диапазон значений токов электронного пучка, нАот 0,0008 до 100
Диапазон значений токов ионного пучка, нА от 0,001 до 2500
Максимальный размер изображения, пикселей6144х4096
Минимальный шаг перемещения иглы микроманипулятора, нм, не более50
Активная площадь детектора энергодисперсионного спектрометра, мм70
Диапазон определяемых элементовот С до Am
Максимальная скорость счета импульсов энергодисперсионного спектрометра, импульсов/сек1600000
Масса, включая все комплектующие, кг, не более1150
Габаритные размеры основных составных частей (ДxШхВ), мм, не более: - основной блок - стойка электроники; - рабочий стол с управляющим компьютером - форвакуумный насос1185×1332×1907 660×1055×1949 1300×800×1200 730×500×700
Условия эксплуатации: - температура окружающей среды, ºС -относительная влажность воздуха, %, не болееот +18 до +22 80
Напряжение питания от однофазной сети переменного тока частотой 50/60 Гц, Вот 110 до 240
Потребляемая мощность, не более, Вт3500
КомплектностьТаблица 4 – Комплектность средства измерений
НаименованиеОбозначениеКоличество
Микроскоп электронно-ионный сканирующийHelios G4 PFIB UXe1 шт.
Руководство по эксплуатации-1 экз.
Методика поверки-1 экз.
Поверкаосуществляется по документу МП 80056-20 «ГСИ. Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe. Методика поверки», утвержденному АО «НИЦПВ» 18 марта 2020 г. Основные средства поверки: -мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К (рег. №33598-06); - мера длины концевая плоскопараллельная номинальным значением 1 мм 3-го разряда согласно Государственной поверочной схеме (Приказ Росстандарта от 29.12.2018 №2840); - стандартный образец состава марганца металлического типа Мн95 (Ф5) ГСО 1095-90П. Допускается применение аналогичных средств поверки, обеспечивающих определение метрологических характеристик поверяемого микроскопа с требуемой точностью. Знак поверки наносится на лицевую панель основного блока микроскопа в виде наклейки, как показано на рисунке 1 и на свидетельство о поверке.
Нормативные и технические документы, устанавливающие требования к микроскопу электронно-ионному сканирующему Helios G4 PFIB UXe Техническая документация фирмы Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США
ЗаявительФирма Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США Адрес: 5350 NE Dawson Creek Drive, Hillsboro, OR 97124, USA Тел./Факс: +1 5037267500/+1 503 726 2570
Испытательный центрАкционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума» (АО «НИЦПВ») Адрес: 119421, г. Москва, ул. Новаторов, д. 40, корп. 1 Тел./Факс: (495) 935-97-77 E-mail: nicpv@mail.ru Аттестат аккредитации АО «НИЦПВ» по проведению испытаний средств измерений в целях утверждения типа №RA.RU.311409 от 19.11.2015 г.