Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP

Описание

Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP — техническое средство с номером в госреестре 83973-21 и сроком свидетельства (заводским номером) 734224. Имеет обозначение типа СИ: Opti Probe 7341 XP.
Произведен предприятием: KLA Tencor, США.

Требуется ли периодическая поверка прибора?

Наличие периодической поверки: Да. Периодичность проведения поверки установлена изготовителем средства измерения и составляет: 1 год
Узнать о ее сроках можно также в техническом паспорте, который прилагается к данному прибору.

Допускается ли поверка партии?

Допущение поверки партии приборов: Нет.

Методика поверки:

Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP.

С методикой поверки прибора вы можете ознакомиться по ссылке: Скачать
Документ содержит последовательность действий, реализация которых позволит подтвердить соответствие прибора метрологическим требованиям, принятым при утверждении типа средства измерений.

Описание типа:

Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP.

С более детальным описанием прибора можно ознакомиться по ссылке: Описание прибора: Скачать. Документ содержит технические, метрологические характеристики, данные о погрешности измерения и другую полезную информацию.

Изображение
Добавить к заказу
Номер в госреестре
83973-21
НаименованиеУстановка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев
Обозначение типаOpti Probe 7341 XP
ПроизводительKLA Tencor, США
Описание типаСкачать
Методика поверкиСкачать
Межповерочный интервал (МПИ)1 год
Допускается поверка партииНет
Наличие периодической поверкиДа
Сведения о типеЗаводской номер
Срок свидетельства или заводской номер734224
НазначениеУстановка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP (далее по тексту - установка) предназначена для автоматизированного измерений толщин полупрозрачных пленок (полупроводниковые, диэлектрические, электрооптические, SOI или SOS материалы; оптические антиотражающие покрытия; тонкие металлы; материалы планарных волноводов; стекло с покрытием) на пластинах диаметром 200 мм.
ОписаниеПринцип действия установки основан на реализации нескольких оптических методов измерений толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев: BPR- Beam Profile Reflectometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения интенсивности света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию от угла падения света на пластину и от длины волны света. Для освещения пластины используется микрообъектив, который формирует конус лучей, зондирующих пластину с пленкой под различными углами в широком диапазоне, более 60°. Размер области зондирования варьируется от 10×10 до 50×50 мкм2. BPE- Beam Profile Ellipsometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения отношения амплитуд для p- и s-компонент поляризованного света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию от угла падения света на пластину. Также как в методе BRP для освещения пластины используется микрообъектив, который формирует конус лучей, зондирующих пластину с пленкой под различными углами. VAS- Visible Array Spectrometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения интенсивности света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию длины волны света в видимом диапазоне длин волн (от 400 до 780 нм). Из-за интерференции света, возникающей при многократном отражении света от пластины и пленки, интенсивность отраженного света будет зависеть от его длины волны и от толщины пленки. Используется для измерений толщин толстых пленок и пленок с большим коэффициентом преломления. Он также используется совместно с BPR, как вспомогательный метод. Для проведения измерений толщины используется микрообъектив для уменьшения области зондирования пластины. BB- Broadband Spectrometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения интенсивности света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию длины волны света в широком диапазоне длин волн от 190 до 780 нм. Также как в методе VAS из-за интерференции света, возникающей при многократном отражении света от пластины и пленки, интенсивность отраженного света будет зависеть от его длины волны и от толщины пленки. Для проведения измерений толщины используется микрообъектив для уменьшения области зондирования пластины. SE- Spectroscopic Ellipsometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения отношения амплитуд для p- и s-компонент поляризованного света, отраженного от пластины с пленкой, для излучения разной длины волны из диапазона от 190 до 840 нм. Для уменьшения области зондирования до 50×50 мкм2 используются микрообъективы в осветительном и приемном плечах прибора; AE- Absolute Ellipsometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения отношения амплитуд для p- и s-компонент поляризованного света, отраженного от пластины с пленкой, но на одной длине волны He-Ne лазера 632,8 нм. Угол падения света на образец составляет 65°. Для уменьшения области зондирования до 50×50 мкм2 используется микрообъективы в осветительном и приемном плечах прибора. Используется для измерения толщины тонких слоев, вплоть до толщин естественного окисла. Установка состоит из измерительного модуля и SMIF-загрузчика для автоматического размещения измеряемых образцов пленок в измерительном модуле, микрообъективов. Для предотвращения несанкционированного вмешательства в конструкцию изделия, установка пломбируется. Общий вид, схема маркировки и схема пломбирования от несанкционированного доступа установки представлены на рисунках 1 и 2. На установке имеется шильдик с указанием наименования прибора, страны изготовителя, заводского номера и года выпуска прибора. Шильдик находится на задней части установки. Знак утверждения типа наносится на корпус прибора методом наклеивания. Нанесение знака поверки не предусмотрено. Рисунок 1 - Общий вид установки а) б) Рисунок 2 – а) общий вид, схема пломбирования от несанкционированного доступа б) вид сверху, схема маркировки
Программное обеспечениеУправление процессом измерения в установке осуществляется с помощью специального программного обеспечения TFMS-XP. Программное обеспечение служит для настройки установки, проведения измерений, анализа и обработки полученных данных. ПО имеет пользовательский интерфейс, ввод данных производится с помощью клавиатуры и мыши на стойке установки. Программное обеспечение (ПО) имеет следующие идентификационные данные: Таблица 1
Идентификационные данные (признаки)Значение
Идентификационное наименование ПОTFMS-XP
Номер версии (идентификационный номер) ПОне ниже V3.2R1 SR-2 HF20
Цифровой идентификатор ПО (контрольная сумма исполняемого кода)-
Программное обеспечение устанавливается в определенную директорию жесткого диска персонального компьютера. Несанкционированный доступ к программному обеспечению исключён посредством ограничения прав учетной записи пользователя, а также наличием пароля. Установка обновленных версий ПО допускается только представителями предприятия – изготовителя с помощью специального оборудования. Уровень защиты программного обеспечения «высокий» в соответствии с Р 50.2.077-2014.
Метрологические и технические характеристикиТаблица 2 – Метрологические характеристики
Наименование характеристикиЗначение
Диапазон измерений толщины, нмот 20 до 800
Пределы допускаемой абсолютной погрешностиизмерений толщины, нм: - в диапазоне от 20 до 300 включ. нм; - в диапазоне св. 300 до 800 включ. нм.±2 ±3
Таблица 3 – Основные технические характеристики
Наименование характеристикиЗначение
Диапазон показаний толщины, нмот 1 до 5000
Спектральный диапазон длин волн, нмот 190 до 840
Пределы допускаемой случайной составляющей погрешности показаний толщины (Р=0,99) для однородных слоев на Si, нм: - в диапазоне от 1 до 10 нм включ. - в диапазоне св. 10 до 50 нм  включ. - в диапазоне св. 50 до 500  нм включ. 0,02 0,03 0,05
Параметры электрической сети: - напряжение, В - частота, Гц220±10 50±5
Мощность, В∙А4900
Габаритные размеры, мм, не более1420×1670×1790
Масса, кг, не более1240
Условия эксплуатации: температура окружающей среды, °С относительная влажность воздуха, %, не более атмосферное давление, кПа от +18 до +24 от 30 до 70 от 96 до 104
КомплектностьТаблица 4
НаименованиеОбозначениеКоличество, шт.
Установка контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XPзаводской номер 7342241 шт.
Кремниевые пластины диаметром 200 мм с SiO2 толщиной пленки, нм: - 20; - 300; - 800.-1 шт. 1 шт. 1 шт.
SMIF-контейнер М200 – Е011-1 шт.
Кассета КА198 – 80МВ – 47С02-1 шт.
Руководство по эксплуатации-1 экз.
Поверкаприведены в руководстве по эксплуатации «Установка контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti-Probe 7341 XP» п. 7
Нормативные и технические документы, устанавливающие требования к установке для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP Локальная поверочная схема средств измерений толщины покрытий в диапазоне значений от 1 до 1000 нм, утвержденная ФГУП «ВНИИОФИ» 08.08.2019
ЗаявительKLA Tencor, США Адрес: 1250 Reliance Way Fremont, California 94539 USA
Испытательный центрФедеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений» Адрес: 119361, г. Москва, ул. Озерная, д. 46 Телефон: +7 (495) 437-56-33 Факс: +7 (495) 437-31-47 Web-сайт: www.vniiofi.ru E-mail: vniiofi@vniiofi.ru Аттестат аккредитации ФГУП «ВНИИОФИ» по проведению испытаний средств измерений в целях утверждения типа № 30003-2014 от 23.06.2014 г.