| Описание | Принцип действия модулей при измерении напряжения постоянного и переменного токов, заряда основан на согласовании, усилении, аналогово-цифровом преобразовании входных электрических сигналов, дальнейшей обработке информации в персональном компьютере (ПК), её регистрации и выдаче результатов измерений и расчетных величин на внешние устройства в виде, удобном для пользователя. Принцип действия модулей при воспроизведении напряжения постоянного и переменного токов основан на воспроизведении программно-заданных значений напряжения путем цифро-аналогового преобразования, усилении (ослаблении) и согласовании выходного сигнала.
Модули созданы на основе отдельных для каждого измерительного канала унифицированных плат АЦП и ЦАП:
- 24-битный двухъядерный АЦП с частотой дискретизации 200 кГц и с высоким динамическим диапазоном (стандартные модули серии SIRIUS);
- 24-битный двухъядерный АЦП с частотой дискретизации 200 кГц (модули с высокой плотностью каналов серии SIRIUS-HD);
- 16-битный АЦП с частотой дискретизации 1 МГц и аналоговым фильтром зеркальных частот (высокоскоростные модули серии SIRIUS-HS);
- 24-битный ЦАП с частотой дискретизации 200 кГц (SIRIUS-AOUT).
Модули серий SIRIUS и SIRIUS-HS имеют 4 или 8 входных аналоговых каналов, модули серии SIRIUS-HD имеют 16-канальное исполнение, при этом аналоговые каналы могут быть как с дифференциальным подключением, так и с гальванической развязкой. Модули имеют внутренний процессор, производящий цифровую обработку входных сигналов от первичных преобразователей и содержат программно-подключаемые фильтры низких частот Баттерворта, Бесселя и Чебышева 2-го, 4-го и/или 8-го порядков.
Стандартные модули серии SIRIUS могут комплектоваться программно-управляемыми аналоговыми выходами на основе 24-битных ЦАП, разъём типа BNC.
Модули имеют различные конструктивные решения для формирования многоканальных систем различных типов (модульных, корпусных и стоечных) и обеспечивают возможность подключения датчиков с кабельными линиями связи длиной до 500 м.
Для независимого применения отдельных модулей и для формирования модульных и корпусных систем применяются модули в моноблочном пластиковом или металлическом корпусе. На передней панели корпуса расположены разъемы аналоговых входов, CAN и/или счётно-цифровых входов/выходов, а на задней - разъемы интерфейсов USB и EtherCAT (опциональная возможность), разъемы питания, внешней синхронизации и каналов аналоговых выходов.
Модульная система формируется путем вертикального объединения модулей с помощью системы крепления (защелкивающийся механизм). В корпусной системе используется жесткое винтовое крепление корпусов модулей друг к другу. В указанных конфигурациях модули функционируют под управлением внешнего ПК посредством интерфейса USB. В качестве управляющего может выступать как стандартный ПК, так и высокопроизводительный ПК SBOX с сетевым интерфейсом Ethernet, выполненный в том же форм-факторе, что и модули SIRIUS, и интегрированный в модульный набор или корпус.
Для формирования стоечных многоканальных модульных систем применяются функциональные модули, устанавливаемые в базовые блоки (стойки) с интегрированным ПК SBOX c сетевыми интерфейсами Ethernet и EtherCAT:
- стойка SIRIUS R8 (от 1 до 8 модулей, от 8 до 128 аналоговых каналов), в составе стойки ПК в модульном исполнении SBOX-R8;
- стойка с экраном SIRIUS R8D(В) (от 1 до 8 модулей, от 8 до 128 аналоговых каналов), в составе стойки ПК в модульном исполнении SBOX-R8 и сенсорный 17-дюймовый экран Full-HD;
- портативная стойка SIRIUS R2D(В) (от 1 до 2 модулей, от 8 до 32 аналоговых каналов), в составе стойки ПК в модульном исполнении SBOX и сенсорный 12,1-дюймовый сенсорный экран Full-HD;
- 19-дюймовая стойка SIRIUS R3 на базе ПК (от 1 до 3 модулей, от 8 до 48 аналоговых каналов).
Примечание: Индексы в обозначении модулей: m - компактный 4-х канальный (SIRIUSm); i - входы с гальванической развязкой; f - безвентиляторные, для пылезащищенного исполнения; r - функциональный модуль для стоечного исполнения; отсутствует индекс - стандартный моноблочный модуль c дифференциальными входами. Наличие дополнительных индексов B и e указывает на портативное исполнение с аккумуляторными батареями и на наличие гнезда интерфейса EtherCAT, соответственно.
Пример обозначения: SIRIUSmife - компактный модуль со входами с гальванической развязкой в безвентиляторном исполнении с наличием интерфейса EtherCAT.
Обозначение входных каналов, указанных на модулях в зависимости от функциональных возможностей и типов входных разъемов, где индекс «+» означает наличие каналов цифрового и счётного ввода/вывода.
АСС/АСС+ - аналоговые входы по напряжению, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа BNC.
CНG/CHG+ - аналоговые входы по напряжению и заряду, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа BNC (опционально TNC, L2B7f).
HV/HV+ - аналоговые входы высоковольтного напряжения, штекерный разъем.
LV/LV+ - аналоговые входы по напряжению, мостовое включение датчика деформации с напряжением питания датчиков от 2 до 30 В биполярное, от 0 до 24 В однополярное, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа DB9 (опциально - BNC, штекерный). Опционально входы могут комплектоваться внешними адаптерами типа DSI-LVDT с автоматической идентификацией, с переключаемыми несущими частотами 4 кГц и 10 кГц, с подстройкой фазы, предназначенными для подключения датчиков деформаций и датчиков линейных перемещений на соответствующих несущих частотах (опционально возможна установка промежуточного значения несущей частоты из диапазона от 4 до 10 кГц).
MULTI - аналоговые входы по напряжению, мостовое, полумостовое (1 кОм), четвертьмостовое (120/350 Ом) включение датчика деформации с питанием от 0,1 до 12 В по 3-х, 4-х, 5-ти и 6-ти проводной схемам (программируемый шунт 59,88 кОм), аналоговые выходы по напряжению, каналы цифрового ввода/вывода, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа DB15 (опциально - L2B16f). Опционально входы могут комплектоваться внешними адаптерами типа DSI-LVDT
STGМ/STGM+ - аналоговые входы по напряжению, мостовое, полумостовое (1 кОм), четвертьмостовое (120/350 Ом, опционально 100/1000/1500/5000 Ом и прочие попарные комбинации сопротивлений), включение датчика деформации с питанием от 0,1 до 12 В при токе питания от 0,1 до 45 мА по 3-х, 4-х, 5-ти и 6-ти проводной схемам (программируемый шунт 59,88 кОм), включение потенциометрического датчика, токового датчика с использованием внешнего прямого шунта, датчика 4-20 мА с токовой петлёй с использованием внешнего шунта с петлёй питания, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа DB9 (опциально - L2B7f, L2B10f). Опционально входы могут комплектоваться внешними адаптерами типа DSI-LVDT.
STG/STG+ - аналоговые входы по напряжению, мостовое, полумостовое, четвертьмостовое (120/350 Ом, опционально 100/1000/1500/5000 Ом и прочие попарные комбинации сопротивлений) включение датчика деформации с питанием от 0,1 до 20 В при токе питания от 0,1 до 100 мА по 3-х, 4-х, 5-ти и 6-ти проводным схемам, (программируемый шунт 59,88/175 кОм), включение потенциометрического датчика, датчика сопротивления, терморезистивного датчика с диапазоном измерений от -200 °С до +850 °С, токового датчика с использованием внешнего прямого шунта, датчика 4-20 мА с токовой петлёй с использованием внешнего шунта с петлёй питания, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа DB9 (опциально - L2B7f, L2B10f). Опционально входы могут комплектоваться внешними адаптерами типа DSI-LVDT
STGS - аналоговые входы по напряжению, мостовое, полумостовое (1 кОм), четвертьмостовое (120/350 Ом, опционально 100/1000/1500/5000 Ом и прочие попарные комбинации сопротивлений) включение датчика деформации с питанием от 0,1 до 12 В при токе питания от 0 до 45 мА по 3-х, 4-х, 5-ти и 6-ти проводным схемам (программируемый шунт 100 кОм), включение потенциометрического датчика, токового датчика с использованием внешнего прямого шунта, датчика 4-20 мА с токовой петлёй с использованием внешнего шунта с петлёй питания, питание датчиков IEPE/ICP/DeltaTron/Isotron, разъем типа DB9. Опционально входы могут комплектоваться внешними адаптерами типа DSI-LVDT.
Диапазон балансировки мостовых схем относительно диапазона измерений коэффициента рассогласования для всех типов модулей составляет 100 %.
По требованию заказчика в одном модуле могут быть объединены различные типы входных каналов, при этом допускается комбинировать входные каналы только одной серии (стандартные, SIRIUS-HD или SIRIUS-HS). Общий вид модулей в различных конфигурациях приведен на рисунках 1-5. Корпуса модулей являются неразборными без применения специальных инструментов и не имеют настроечных и регулировочных элементов. Пломбирование модулей не предусмотрено.
Рисунок 1 - Общий вид модулей SIRIUS
Рисунок 2 - Общий вид корпусной конфигурации модульных систем
Рисунок 3 - Общий вид стоек SIRIUS R8 (слева) и SIRIUS R2D (справа)
Рисунок 4 - Внешний вид стойки SIRIUS R8D
Рисунок 5 - Внешний вид стойки SIRIUS R3 (слева) и функционального модуля (справа)
|
| Метрологические и технические характеристики | Таблица 2 - Метрологические характеристики стандартных модулей серии SIRIUS
| Наименование характеристики | Значение | | SIRIUS-АСС (SIRIUS-АСС+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -10 до +10 | | Верхние пределы (ВП) поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,5; 10 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,12 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,5 В
для ВП 10 В | 1
10 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
в диапазоне частот от 1 до 50 кГц включ.
в диапазоне частот св. 50 до 100 кГц включ.
в диапазоне частот св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | Долговременный дрейф за 48 часов, не более, мкВ | 4 | | SIRIUS-CНG (SIRIUS-CНG+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -10 до +10 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,5; 10 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,5 В
для ВП 10 В | 1
10 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,05 | | Диапазон измерений заряда (амплитудные значения), пКл | от -100000 до +100000 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений заряда (амплитудные значения), пКл | 10000
100000 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, пКл, не более:
для ВП 10000 пКл
для ВП 100000 пКл | 0,1
0,3 |
Продолжение таблицы 2
| Наименование характеристики | Значение | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
в диапазоне частот от 1 до 50 кГц включ.
в диапазоне частот св. 50 до 100 кГц включ.
в диапазоне частот св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений заряда на частоте 1 кГц, % | ±0,07 | | SIRIUS-HV (SIRIUS-HV+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -1200 до +1200 | | Верхние пределы (ВП) поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 50; 1200 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 50 В
для ВП 1200 В | 15
100 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,05 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
в диапазоне частот от 1 до 50 кГц включ.
в диапазоне частот св. 50 до 100 кГц включ.
в диапазоне частот св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | SIRIUS-LV (SIRIUS-LV+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -200 до +200 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,1; 1; 10; 200 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В
для ВП 200 В | 1
2
2
40 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,05 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
в диапазоне частот от 1 до 50 кГц включ.
в диапазоне частот св. 50 до 100 кГц включ.
в диапазоне частот св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | SIRIUS-MULTI (SIRIUS-MULTI+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -10 до +10 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,05; 0,1; 1; 10 | | Диапазон измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, мВ/В | от 0,1 до 1000 |
Продолжение таблицы 2
| Наименование характеристики | Значение | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,05 В
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В | 0,2
1
1
2 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, %:
для ВП 0,05 В
для ВП 0,1 В
для ВП 1 и 10 В | ±0,45
±0,25
±0,15 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, % | ±0,05 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
от 1 до 50 кГц включ.
св. 50 до 100 кГц включ.
св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | SIRIUS-STGM (SIRIUS-STGM+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -10 до +10 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,05; 0,1; 1; 10 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,05 В
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В | 0,5
1
1
2 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,05 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
от 1 до 50 кГц включ.
св. 50 до 100 кГц включ.
св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | Диапазон измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, мВ/В | от 0,1 до 1000 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц при питании полумостовой 4-х или 5-ти проводной схемы напряжением 5 В, мкВ, не более | 5 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, % | ±0,05 | | Долговременный дрейф за 48 часов, не более, мкВ | 4 | | SIRIUS-STG (SIRIUS-STG+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -50 до +50 |
Продолжение таблицы 2
| Наименование характеристики | Значение | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,1; 1; 10; 50 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В
для ВП 50 В | 1
1
2
10 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,05 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
от 1 до 50 кГц включ.
св. 50 до 100 кГц включ.
св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | Диапазон измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, мВ/В | от 0,1 до 1000 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц при питании полумостовой 4-х или 5-ти проводной схемы напряжением 5 В, мкВ, не более | 5 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, % | ±0,05 | | Долговременный дрейф за 48 часов, мкВ, не более | 4 | | АНАЛОГОВЫЕ ВЫХОДЫ | | Диапазон воспроизведения напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -10 до +10 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности воспроизведения напряжения постоянного тока и напряжения переменного на частоте 1 кГц, % | ±0,3 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ, кГц, не менее | 40 | | Примечание - Значения уровней собственных шумов и пределов допускаемых приведенных (к ВП) погрешностей измерений напряжения постоянного и переменного токов, заряда и коэффициента рассогласования нормированы для режима измерений с балансировкой усилителей |
Таблица 3 - Метрологические характеристики модулей с высокой плотностью каналов серии SIRIUS-HD
| Наименование характеристики | Значение | | SIRIUS-HD-ACC (SIRIUS-НD-ACC+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -100 до +100 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,1; 1; 10; 100 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В
для ВП 100 В | 1
2
2
20 |
Продолжение таблицы 3
| Наименование характеристики | Значение | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
от 1 до 50 кГц включ.
св. 50 до 100 кГц включ.
св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, , % | ±0,07 | | SIRIUS-HD-LV | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -100 до +100 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,1; 1; 10; 100 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,07 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В
для ВП 100 В | 1
2
2
20 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
от 1 до 50 кГц включ.
св. 50 до 100 кГц включ.
св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs | | Диапазон измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, мВ/В | от 0,1 до 1000 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, % | ±0,07 | | SIRIUS-HD-STGS | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -10 до +10 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,01; 0,1; 1; 10 | | Средний уровень собственных шумов при частоте дискретизации 10 кГц, мкВ, не более:
для ВП 0,01 В
для ВП 0,1 В
для ВП 1 В
для ВП 10 В | 0,5
1
2
2 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,05 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ в диапазонах частот дискретизации Fs, кГц:
от 1 до 50 кГц включ.
св. 50 до 100 кГц включ.
св. 100 до 200 кГц | 0,494∙Fs
0,49∙Fs
0,38∙Fs |
Продолжение таблицы 3
| Наименование характеристики | Значение | | Диапазон измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, мВ/В | от 0,1 до 1000 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений коэффициента рассогласования для мостовых схем, % | ±0,05 | | Примечание - Значения уровней собственных шумов и пределов допускаемых приведенных (к ВП) погрешностей измерений напряжения постоянного и переменного токов, коэффициента рассогласования нормированы для режима измерений с балансировкой усилителей |
Таблица 4 - Метрологические характеристики высокоскоростных модулей серии SIRIUS-HS
| Наименование характеристики | Значение | | SIRIUS-HS-ACC (SIRIUS-HS-ACC+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -1 до +10 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,2; 1; 5; 10 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока и напряжения переменного тока на частоте 1 кГц, % | ±0,07 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ, кГц | 500 | | SIRIUS-HS-CНG (SIRIUS-HS-СНG+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -1 до +10 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока, % | ±0,07 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ, кГц | 500 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения переменного тока:
в диапазоне частот до 10 кГц включ.
в диапазоне частот св. 10 до 100 кГц | ±0,15
±2,10 | | Диапазон измерений заряда (амплитудные значения), пКл | от -100000 до +100000 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений заряда (амплитудные значения), В | 1000; 2000; 5000; 10000; 20000; 50000; 100000 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений заряда на частоте 1 кГц, % | ±0,6 | | Ширина полосы пропускания в режиме измерений заряда, кГц | 200 | | SIRIUS-HS-HV (SIRIUS-HS-HV+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | ±1600 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 20; 50; 100; 200; 400; 800; 1600 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока, % | ±0,07 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ, МГц:
для ВП 20 В
для ВП 50 В
для ВП 100; 200; 400; 800; 1600 В | 2,0
1,2
0,7 |
Продолжение таблицы 4
| Наименование характеристики | Значение | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения переменного тока, %
в диапазоне частот до 10 кГц включ.
в диапазоне частот св. 10 до 100 кГц включ.
в диапазоне частот св. 100 до 1000 кГц | ±0,15
±2,1
±5,5 | | SIRIUS-HS-LV (SIRIUS-HS-LV+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -100 до +100 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,05; 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; 100 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока, %:
для ВП 0,05; 0,1; 0,2 В
для ВП 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; 100 В | ±0,25
±0,12 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения переменного тока, %:
в диапазоне частот до 10 кГц включ.
в диапазоне частот св. 10 до 100 кГц включ.
в диапазоне частот св. 100 до 500 кГц | ±0,15
±2,1
±10 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ, МГц:
для ВП 0,05; 0,1; 0,2 В
для ВП 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; 100 В | 0,8
1,0 | | SIRIUS-HS-STG (SIRIUS-HS-STG+) | | Диапазон измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | от -50 до +50 | | Верхние пределы поддиапазонов измерений напряжения постоянного и переменного тока (амплитудные значения), В | 0,02; 0,04; 0,1; 0,2; 0,4; 1; 2; 5; 10 ;20; 50 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения постоянного тока, %:
для ВП 0,05; 0,1; 0,2 В
для ВП 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 В | ±0,10
±0,07 | | Ширина полосы пропускания по уровню минус 3 дБ, МГц:
для ВП 0,02; 0,04; 0,1; 0,5 В
для ВП 0,4; 1; 2; 5; 10; 20; 50 В | 0,8
1,0 | | Пределы допускаемой приведённой (к ВП) погрешности измерений напряжения переменного тока:
в диапазоне частот до 10 кГц (включительно)
в диапазоне частот от 10 до 100 кГц (включительно)
в диапазоне частот от 100 до 500 кГц | ±0,15
±2,1
±10 | | Примечание - Значения уровней собственных шумов и пределов допускаемых приведенных (к ВП) погрешностей измерений напряжения постоянного и переменного токов, заряда нормированы для режима измерений с балансировкой усилителей |
Таблица 5 - Основные технические характеристики
| Наименование характеристики | Значение | | Параметры электрического питания:
- напряжение переменного тока, В
- частота переменного тока, Гц | от 198 до 242
от 49 до 51 |
Продолжение таблицы 5
| Наименование характеристики | Значение | | Габаритные размеры, масса, потребляемая мощность, не более: | | Платформа | Длина, мм | Ширина, мм | Высота,
мм | Масса, кг | Потребляемая мощность, Вт | | Модули: | | | | | | | Компактный (SIRIUSm) | 130 | 135 | 50 | 0,8 | 4 | | Стандартный | 260 | 135 | 50 | 1,5 | 25 | | Расширенный | 260 | 135 | 100/150/200/250 | 7,8 | 25 | | Функциональный модуль для стоечного исполнения | 130 | 44 | 260 | 0,7 | - | | Стойки: | | | | | | | SIRIUS R8(B) | 447 | 312 | 147 | 15,0 | 55 | | SIRIUS R8D(B) | 447 | 312 | 165 | 16,5 | 65 | | SIRIUS R2D(B) | 150 | 350 | 260 | 6,0 | 36 | | SIRIUS R3 | 502 | 482 | 177 | 12,5 | 65 | | Условия эксплуатации:
-температура воздуха, oC
-относительная влажность воздуха (при температуре +25 °С), %
-атмосферное давление, кПа | от 0 до +60
до 80
от 60 до 104,7 |
|
